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J-GLOBAL ID：200903028180805220

埋め込み配線の形成方法

Inventor： 藤原 浩志
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998362194
Publication number (International publication number)：2000183062
Application date： Dec. 21, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 配線膜を埋め込む工程において配線膜表面の平坦性を維持し、配線膜の電気的特性を損なわないようにする。【解決手段】 基板1上に形成された層間絶縁膜ILに埋め込み配線用の溝5a,5bを形成し、次に層間絶縁膜IL上および溝5a,5b内部にバリアメタル膜6、配線膜7を積層し、配線膜7上の全面に保護膜PLを形成する。その後、例えばCMP法により空隙H1にのみ保護膜PLを残し、それをカバーとして配線膜7を等方性エッチングする。こうすれば配線膜7の表面の高さを空隙H1の底の高さにそろえることができ、表面が平坦化する。その後、保護膜PLを除去し、層間絶縁膜4上の配線膜7及びバリアメタル膜6を除去する。そして、全面に第2の層間絶縁膜を形成する。

Claim (excerpt)：

基板の表面上に絶縁膜を形成する第1の工程と、前記絶縁膜に前記基板とは反対側に開口する溝を形成する第2の工程と、前記溝が開口する側から前記絶縁膜の全面に対し、前記溝の深さよりも大きな膜厚の導電体を前記溝の上方に空隙を残して形成する第3の工程と、前記導電体の等方性エッチングに対して選択性ある保護膜を、前記導電体上で前記空隙の底及びその近傍に選択的に形成する第4の工程と、前記導電体に対する前記等方性エッチングを施す第5の工程と、前記基板からみて前記絶縁膜よりも遠くに存在する前記導電体を除去し、前記溝内に前記導電体を残置して配線とする第6の工程とを備える埋め込み配線の形成方法。

F-Term (23)：

5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM29 ,  5F033PP07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033XX01