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J-GLOBAL ID：200903028185897220

シリコン膜製造方法及びシリコン膜製造装置

Inventor： 田中 博由 ,  鈴木 茂夫 ,  三谷 力
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991209162
Publication number (International publication number)：1993047678
Application date： Aug. 21, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 低温基板に高速に多結晶シリコン膜を堆積させる。【構成】 シランガス(シリコン化合物ガス)とシリコン単結晶微粒子を混在させたガスG1を原料ガス導入管5より導入する。カソード1とアノード4間に発生させたアーク放電により、不活性導入管3より導入したアルゴンガスG2をプラズマ化する。ガスG1は、アルゴンプラズマと混合され、プラズマの熱によりシランガス(シリコン化合物ガス)は分解されるとともに、シリコン単結晶微粒子は加熱されて基板に堆積される。

Claim (excerpt)：

シリコン化合物を分解させてシリコン微粉末と混合し、基板に堆積させたことを特徴とするシリコン膜製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/28 301