固体撮像装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村暁秀 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999104224
Publication number (International publication number)：2000299821
Application date： Apr. 12, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】撮像素子を常に読み出し回数に応じた高い周波数で駆動させることなく映像フレーム期間内に所定回数だけ全画素を読み出して、高ダイナミックレンジ化を図れる固体撮像素子を提供する。【解決手段】非破壊読み出し型の2次元アレイ状固体撮像素子(1) の1列分の画像電荷の同時並列読み出しを水平走査(5) を繰り返して映像フレーム期間内に全ライン数に等しい回数の全画素読み出しを行い、各水平走査期間内に単位光電変換素子の飽和レベルを超えた画素電荷については別に設けた2次元メモリ(2)の対応部分に1ビットを加算していくと共にその画素電荷をリセットし、さらに、全画素読み出し毎に並列読み出し出力をモニタ上最上段から垂直下方に順次に選択(4) して、選択出力と2次元メモリに記憶された飽和回数に応じた定数とを加算(8) して出力するよう構成した。

Claim (excerpt)：

m行n列の非破壊読み出し型の2次元アレイ状固体撮像素子と、固体撮像素子の第j(1≦j≦n)列を選択する水平走査回路とを少なくとも具えた固体撮像装置において、前記水平走査回路は、映像フレーム期間内にk(2≦k≦m)回繰り返しての水平走査を行う水平走査回路であるとともに、前記装置はさらに:前記水平走査回路によって選択された第j列の固体撮像素子の各画素電荷を同時並列に読み出して出力するm本の出力線と;該出力線のそれぞれに接続されるm個の比較器であって、読み出された画素電荷の値と固体撮像素子を構成する単位光電変換素子の飽和レベルに対応して予め定められた閾値とを比較する比較器と;該比較器での比較結果に応じ、各水平走査で読み出された画素電荷毎に、当該画素に対応した書き込み/読み出しモードに基づいて、当該画素電荷の値が閾値を超えた場合にのみ当該画素に対応したアドレス位置のメモリ空間に飽和ビットを加算して記憶するメモリと;該メモリに飽和ビットを加算した場合のみ当該画素に対応する光電変換素子をリセットするリセット手段と;前記固体撮像素子の各画素位置に対応した1フレーム時間を周期としたリセット信号により当該画素に対応した光電変換素子および当該画素に対応したアドレス位置の前記メモリ内容のリセットを行うフレームリセット手段と;映像フレーム期間内のいずれかの水平走査時において読み出された各画素電荷と、当該画素に対応した書き込み/読み出しモードに基づいて当該画素に対応したアドレス位置のメモリ空間から読み出した飽和ビットに応じて予め定められた定数を、固体撮像素子の種別に応じて加算または減算して出力する加算器または減算器と;を具えたことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2)：

H04N 5/335 , H01L 27/146

FI (2)：

H04N 5/335 Q , H01L 27/14 A

F-Term (19)：

4M118AA02 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA02 , 4M118DB01 , 4M118DD12 , 4M118FA06 , 4M118FA50 , 5C024AA01 , 5C024CA15 , 5C024FA01 , 5C024FA11 , 5C024GA31 , 5C024GA33 , 5C024HA14 , 5C024HA17 , 5C024HA18 , 5C024HA23 , 5C024JA09

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