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J-GLOBAL ID：200903028193638195

フォトマスク及びその評価方法及び半導体ウェハ

Inventor： 小坂 雄二
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000178351
Publication number (International publication number)：2001356472
Application date： Jun. 14, 2000
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】ウェハ毎で容易に露光パターンのライン縮退改善の程度、あるいはライン縮退量を定量的に把握することのできるフォトマスク及びその評価方法及び半導体ウェハを提供する。【解決手段】フォトマスク11は、半導体ウェハ上への素子形成に関するマスクパターン12と共にその評価パターン13を所定領域に含んでいる。マスクパターン12は、少なくとも露光時の影響によるライン縮退を補正する補助パターンが付加され微細な素子形成パターン解像に有効に働く。また、評価パターン13にも、一部に少なくともライン縮退を補正する補助パターンが付加された第1モニタ領域MNTR1が設けられ、望ましくはさらに評価パターン13の別の一部には、上記補助パターンのない第2モニタ領域MNTR2が設けられている。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハ上への素子形成に関する少なくともライン縮退を補正する補助パターンの付加されたマスクパターンと共にその評価パターンを所定領域に含むものであって、前記評価パターンの一部に少なくともライン縮退を補正する補助パターンが付加されたモニタ領域を具備したことを特徴とするフォトマスク。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/66

FI (5)：

G03F 1/08 P ,  G03F 1/08 S ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 V

F-Term (15)：

2H095BB02 ,  2H095BB31 ,  2H095BD03 ,  2H095BD23 ,  2H095BD27 ,  2H095BE05 ,  2H095BE08 ,  2H095BE09 ,  4M106AA01 ,  4M106AA09 ,  4M106AC02 ,  4M106AC05 ,  4M106CA39 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19