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J-GLOBAL ID：200903028194591630

半導体装置の製造方法

Inventor： 伊藤 勝志 ,  安里 直生
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992050224
Publication number (International publication number)：1993251335
Application date： Mar. 09, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】酸触媒反応を利用した化学増幅ポジ型レジスト膜を用い微細パターンを形成する。【構成】半導体基板1上にポジ型レジスト膜2を塗布し、ベークする。次にレジスト膜表面に表面保護用の水溶性高分子薄膜3を塗布しベークする。続いて、エキシマレーザー光5で露光後、加熱したのちアルカリ現像液等で現像する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に化学増幅ポジ型レジスト膜を形成したのちマスクを用いてこのポジ型レジスト膜を露光し現像する半導体装置の製造方法において、前記ポジ型レジスト膜の表面を薄膜でコーティングしたのち露光することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521