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J-GLOBAL ID：200903028194671862
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大西 健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996169905
Publication number (International publication number)：1998022455
Application date： Jun. 28, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：
【要約】【課題】 薄くかつ高誘電率であるキャパシタ誘電膜を有し、容量の大きいキャパシタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置のキャパシタを下部電極と、この下部電極上に形成されたタンタル酸化膜と、下部電極と前記タンタル酸化膜との間に形成された窒化膜であって、前記下部電極をタンタル酸化膜を介して窒素原子を含む雰囲気下でアニールすることによって形成された窒化膜と、このタンタル酸化膜上に形成された上部電極とで構成する。
Claim (excerpt)：
下部電極と、前記下部電極上に形成されたタンタル酸化膜と、前記下部電極と前記タンタル酸化膜との間に形成された窒化膜であって、前記下部電極をタンタル酸化膜を介して窒素原子を含む雰囲気下でアニールすることによって形成された窒化膜と、前記タンタル酸化膜上に形成された上部電極とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
