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J-GLOBAL ID：200903028196291900

半導体装置およびその製法

Inventor： 井上 洋典 ,  八尾 勉 ,  宮内 昭浩 ,  小野瀬 秀勝
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001030800
Publication number (International publication number)：2002237592
Application date： Feb. 07, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】六方晶SiC単結晶基板を用いた電気特性の良好な電界効果型トランジスタで代表される半導体装置の提供にある。【解決手段】六方晶SiC単結晶の半導体基板12に、主表面13が{1<U>1</U>00}面であって、<0001>方向を長手方向にし、壁面8が主表面に略垂直なゲート溝7を複数箇配置した縦型電界効果トランジスタであって{0001}結晶面を界面とする略同数で、複数のp型領域とn型領域で構成されたドレイン側ドリフト領域を電流流路に並列配置した半導体装置。

Claim (excerpt)：

六方晶単結晶の半導体材料を用いる半導体装置であって、電流経路に沿って交互に並列配置されたp型領域とn型領域とをそれぞれ複数備えて構成されるドリフト領域を有し、前記ドリフト領域におけるp型領域と該n型領域との界面が{0001}結晶面であることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/80

FI (7)：

H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 P ,  H01L 29/50 U ,  H01L 29/74 M ,  H01L 29/80 V

F-Term (26)：

4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA06 ,  4M104BB01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104FF04 ,  4M104GG03 ,  4M104GG08 ,  4M104HH20 ,  5F005AB03 ,  5F005AC01 ,  5F005AE01 ,  5F005AH02 ,  5F005BA02 ,  5F005GA01 ,  5F102FA01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC07 ,  5F102GC09 ,  5F102GD04 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC16