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J-GLOBAL ID：200903028208186571

半導体発光素子

Inventor：
門田 道雄

About 門田 道雄


Applicant, Patent owner：
株式会社村田製作所

About 株式会社村田製作所


Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998196073
Publication number (International publication number)：2000031536
Application date： Jul. 10, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】 ZnOバッファ層の上方の化合物半導体層の組成を変化させることなくZnOバッファ層を低抵抗化する。【解決手段】 絶縁性のサファイア基板22の上に低抵抗のZnOバッファ層23を成長させ、その上にn型GaN層24、n型AlGaN層25、InGaN層(発光層)26、p型AlGaN層27、p型GaN層28をエピタキシャル成長させる。ZnOバッファ層23の上面には下部電極29を、p型GaN層28の上面には上部電極30を設ける。ZnOバッファ層23には上層の各化合物半導体層に含まれない(Ga、Al、In以外の)不純物元素をドープすることにより比抵抗を10Ω・cm以下にする。この不純物としては、III族では、B、Sc、Y、La、Ac、Tlなどをドープでき、V族ではV、Nb、Ta、P、As、Sb、Biなどをドープすることができる。
Claim (excerpt)：
絶縁基板の上に低抵抗のZnOバッファ層を形成し、このZnOバッファ層の上にInxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わされる化合物半導体層を形成し、前記ZnOバッファ層の一部表面を露出させると共にその露出部分に下部電極を形成した半導体発光素子において、前記ZnOバッファ層は、その上方の化合物半導体層の組成元素を含まないことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/30
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
F-Term (9)：
5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA99 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (17)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-036363   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体発光素子及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-192075   Applicant：日本電気株式会社
  • 特開平4-199752
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