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J-GLOBAL ID：200903028229203549

マイクロマシンの製造方法

Inventor： 毛利 幹雄 ,  柿沼 弘明
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992258291
Publication number (International publication number)：1994112509
Application date： Sep. 28, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 多結晶シリコン薄膜を利用して製造されるマイクロマシン例えばマイクロ圧力センサを従来より低温プロセスで製造すること。【構成】 マイクロ圧力ゲージの空洞部形成のために使用する犠牲層用の多結晶シリコン薄膜43と、歪みゲージ用の多結晶シリコン薄膜47とを、ガラス基板41を300°Cの温度に加熱した状態で、SiF4 の流量を400SCCM、SiH4 の流量を10SCCM、H2 の流量を500SCCM、RFパワー密度を0.1W/cm2 、成膜時での反応室の上記原料ガスによる全圧を300Pa(約2.25Torr)とした条件のプラズマCVD法により形成する。

Claim (excerpt)：

マイクロマーシニング技術により製造されその製造において多結晶シリコン薄膜が使用されるマイクロマシンを製造するに当たり、多結晶シリコン薄膜を、該薄膜が形成される下地の温度を最高でも350°CとしたプラズマCVD法により、形成することを特徴とするマイクロマシンの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/84 ,  G01L 7/00