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J-GLOBAL ID：200903028240138333

光起電力素子とその製造方法

Inventor： 川上 総一郎
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992280168
Publication number (International publication number)：1994132552
Application date： Oct. 19, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 レーザー光による上部電極(透明電極)と下部電極との接合において、導電性基板と下部電極との導通を防止する。【構成】 絶縁体層101で被覆された導電性基板100上に、複数個に分離された下部電極層102、下部電極層102上の局所部に設けられた銀,銅,金,アルミニウムから選択された1種類以上の金属を含有する導電体層103、光電変換層としての半導体層104、複数個に分離された透明電極層105、集電電極106が順に形成されている。エネルギービームの照射によって導電体層103と集電電極106が導通し、複数個の発電領域であるサブセルが直列に接続される。

Claim (excerpt)：

絶縁体層で表面が被覆された導電性基体上に少なくとも、複数個に分離された下部電極層、前記下部電極層上の局所部に設けられた導電体層、光電変換層としての半導体層、複数個に分離された透明電極層、並びに集電電極が順次形成されるとともに、前記導電体層と前記集電電極とを導通して複数個の発電領域を直列に接続してなることを特徴とする光起電力素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-179784
  
• 特開昭61-214483
  
• 特開昭64-055877
  
• 特開昭63-192278