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J-GLOBAL ID：200903028248425803

1-lll-VI2 族化合物単結晶の製造方法

Inventor： 丹羽 英二 ,  増本 剛
Applicant, Patent owner： 財団法人電気磁気材料研究所
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993244928
Publication number (International publication number)：1995101800
Application date： Sep. 30, 1993
Publication date： Apr. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、融体からの凝固による1-lll-VI2 族化合物単結晶の製造方法に関するもので、その目的とするところは、非線形光学材料、発光ダイオードおよびレーザーダイオード用基板材料、ならびに青色発光素子用材料を提供することにある。【構成】 I族がAg、lll 族がAlおよびGaの何れか一種又は一種以上、およびVI族がSおよびSeの何れか一種又は一種以上の元素からなる1-lll-VI2 族化合物単結晶を製造する場合において、結晶成長管の中間に、内径が2mm以上10mm以下、単一核形成部側への開き角度が30 ゚以上120 ゚以下および単結晶成長部側への開き角度が160 ゚以下の「くびれ」および長さが2cm以上20cm以下の単一核形成部を有した結晶成長管を使用し、成長速度を0.1 cm/日から5cm/日とすることを特徴とする1-lll-VI2 族化合物単結晶の製造方法。

Claim (excerpt)：

I族がAg、lll 族がAlおよびGaの何れか一種又は一種以上、およびVI族がSおよびSeの何れか一種又は一種以上の元素からなる1-lll-VI2 族化合物単結晶を製造する場合において、結晶成長管の中間に、内径が2mm以上10mm以下、単一核形成部側への開き角度が30 ゚以上120 ゚以下および単結晶成長部側への開き角度が160 ゚以下の「くびれ」および長さが2cm以上20cm以下の単一核形成部を有した結晶成長管を使用し、成長速度を0.1 cm/日から5cm/日とすることを特徴とする1-lll-VI2 族化合物単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/46 ,  C30B 11/00 ,  G02F 1/35 505