ラジカルアシストによるバッチ式膜堆積

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 西島孝喜 , 須田洋之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007224812
Publication number (International publication number)：2008038254
Application date： Aug. 03, 2007
Publication date： Feb. 21, 2008
Summary：

【課題】複数のウェーハ基板上にラジカルアシストにより同時膜成形するためのプロセスを提供する。【解決手段】複数のウェーハ基板が所要の膜堆積温度にまで加熱される反応器内に装荷される。酸化物又は窒化物の対イオンの安定化学種源が反応器内に導入される。原位置ラジカル発生反応物がまた、カチオン性イオン堆積源と共に反応器内に導入される。カチオン性イオン堆積源は、複数のウェーハ基板上にカチオン性イオン酸化膜又はカチオン性イオン窒化膜を同時堆積させるのに十分な時間にわたって導入される。堆積温度は、原位置ラジカル発生反応物が存在しない従来型の化学蒸着温度よりも低い。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

複数のウェーハ基板上にラジカルアシストにより同時膜成形するための方法であって、前記複数のウェーハ基板を膜堆積温度にまで加熱される反応器に装荷する段階と、酸化物及び窒化物からなるグループから選択される対イオンの安定化学種源を前記反応器内に導入する段階と、原位置ラジカル発生反応物を前記反応器内に導入する段階と、特定の厚みのカチオン性イオン-酸化膜又はカチオン性イオン-窒化膜を前記堆積温度で前記複数のウェーハ基板上に同時堆積させるのに十分な時間にわたってカチオン性イオン堆積源を前記反応器内に導入する段階と、を含む方法。

IPC (5)：

C23C 16/50 , C23C 16/42 , C23C 16/40 , C23C 16/455 , H01L 21/31

FI (5)：

C23C16/50 , C23C16/42 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/31 B

F-Term (44)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030BA10 , 4K030BA40 , 4K030BA42 , 4K030BA44 , 4K030BB12 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030EA11 , 4K030FA01 , 4K030FA12 , 4K030FA14 , 4K030LA02 , 4K030LA11 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AA16 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AD11 , 5F045AE21 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045BB07 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EF07 , 5F045EF08 , 5F045EF20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国仮特許出願シリアル番号60/821,308公報

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