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J-GLOBAL ID：200903028277984544

半導体素子およびその製造方法

Inventor： 平野 光 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 北村 修一郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001001750
Publication number (International publication number)：2002208723
Application date： Jan. 09, 2001
Publication date： Jul. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】 大面積にわたって低欠陥密度の半導体膜を用いた素子を提供する【解決手段】 半導体素子が、部分的に内部に後退した第1凹部10が表面に形成された結晶成長面を有する基板1と、上記結晶成長面上に成長された窒化物半導体からなる第1半導体層3と、上記第1半導体層3上に成長され、上記第1半導体層3と同じ材料からなる単層または複数層の第2半導体層4とを備えてなり、上記結晶成長面に形成された隣り合う上記第1凹部10の中間位置の上方の上記第1半導体層3の表面に、部分的に内部に後退した第2凹部11が形成され、上記結晶成長面において、上記結晶成長面の原子配列構造と上記第1半導体層3の原子配列構造が同じである。

Claim (excerpt)：

部分的に内部に後退した第1凹部が表面に形成された結晶成長面を有する基板と、前記結晶成長面上に成長された窒化物半導体からなる第1半導体層と、前記第1半導体層上に成長され、前記第1半導体層と同じ材料からなる単層または複数層の第2半導体層とを備えてなり、前記結晶成長面に形成された隣り合う前記第1凹部の中間位置の上方の前記第1半導体層の表面に、部分的に内部に後退した第2凹部が形成され、前記結晶成長面において、前記結晶成長面の原子配列構造と前記第1半導体層の原子配列構造が同じであることを特徴とする半導体素子。

IPC (3)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 31/10 A

F-Term (23)：

5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA46 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF09 ,  5F045BB02 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA10 ,  5F049NA11 ,  5F049NA13 ,  5F049NB10 ,  5F049PA04 ,  5F049PA20