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J-GLOBAL ID:200903028311263215

有機電界発光素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994114968
Publication number (International publication number):1995320872
Application date: May. 27, 1994
Publication date: Dec. 08, 1995
Summary:
【要約】 (修正有)【構成】 基板1上に、陽極と陰極との間に正孔輸送性物質または電子輸送性物質からなるホスト材料に蛍光色素を分散させた有機電界発光層を有する有機電界発光素子の製造方法において、真空蒸着法により基板1上にホスト材料層及び蛍光色素層を成膜積層する際に、基板温度を40°C〜200°Cの温度に保持してホスト材料層中に蛍光色素を分散させることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。【効果】 膜厚方向のドープ濃度を従来の方法よりコントロールでき均一な発光を得ることができ、また、長期に渡り安定した発光特性を示す素子を得ることが可能となる。
Claim (excerpt):
基板上に、陽極と陰極との間に正孔輸送性物質または電子輸送性物質からなるホスト材料に蛍光色素を分散させた有機電界発光層を有する有機電界発光素子の製造方法において、真空蒸着法により基板上にホスト材料層及び蛍光色素層を成膜積層する際に、基板温度を40°C〜200°Cの温度に保持してホスト材料層中に蛍光色素を分散させることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
IPC (3):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/20

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