半導体装置およびその作製方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994186264
Publication number (International publication number)：1996032080
Application date： Jul. 14, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】酸化物被膜に覆われたゲイト電極を有する薄膜トランジスタにおいて、ソース/ドレイン領域に低濃度ドレイン領域(LDD)を容易にかつ歩留り良く形成する方法を提供する。【構成】島状珪素膜にゲイト電極をマスクとして自己整合的に不純物を導入して、低濃度ドレイン領域(LDD)を形成する。まず、島状珪素膜304に回転斜めイオン注入によって、基板に対して斜方向からイオンドーピングをおこない低濃度不純物領域308を形成する。この際に、ゲイト電極の下部にも低濃度不純物領域が形成されている。その後、基板に対して垂直方向から高濃度の不純物を導入して、高濃度不純物領域309が形成される。以上の工程によって、ゲイト電極下部に、低濃度不純物領域が残って、低濃度ドレイン領域310が形成される。

Claim (excerpt)：

酸化物被膜に覆われたゲイト電極を有するTFTにおいて、ゲイト電極をマスクとし、基板に対して斜方向から自己整合的に低ドーズ量の不純物を導入して、低濃度不純物領域を形成する工程と、基板に対して垂直方向から自己整合的に高ドーズ量の不純物を導入して、高濃度不純物領域を形成する工程とを有し、前記酸化物被膜の下部に、低濃度ドレイン領域(LDD)を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/265

FI (3)：

H01L 29/78 311 P , H01L 21/265 U , H01L 21/265 L

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-030220 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-188633
特開昭58-142566

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Cited by examiner (8)

絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-030220 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-188633
SOI構造のMOSFETとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-119135 Applicant：沖電気工業株式会社

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