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J-GLOBAL ID：200903028341376367

ショットキバリア整流半導体装置

Inventor： 若田部 勝
Applicant, Patent owner： 新電元工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992089733
Publication number (International publication number)：1993259436
Application date： Mar. 13, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 一導電型半導体に形成されるショットキバリア接触面に局部的電流集中がなく、半導体チップ面積に対する順方向電流を増大し、半導体チップ面積の経済化、及び特性改善を図る。【構成】 電極金属と一導電型半導体間の一部又は全部に、その一導電型半導体より高濃度の第2の一導電型半導体領域を電極金属とショットキバリア接触をなすように設けることを主たる特徴とする。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体表面に複数個の逆導電型半導体領域を形成し、一導電型半導体とはショットキバリア接触を、又、逆導電型半導体領域とはオ-ム性接触をなす電極金属を設けるように構成したショットキバリア整流半導体装置において、電極金属と一導電型半導体間の一部又は全部に、一導電型半導体より高濃度の第2の一導電型半導体領域を電極金属とショットキバリア接触をなすように設けたことを特徴とするショットキバリア整流半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-181172
  
• 特開昭62-081647
  
• 特開昭63-011371