半導体レーザ装置およびその製法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：朝日奈宗太 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992144225
Publication number (International publication number)：1993343790
Application date： Jun. 04, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 3ビーム法による半導体レーザ装置で、サブビームによる戻り光が半導体レーザチップのビーム射出側に結像し、その反射ビームが本来のレーザビームと干渉してトラッキングサーボに悪影響を及ぼさないようにする。【構成】半導体基板上に化合物半導体層が積層されて半導体レーザウェハ1が形成され、前記半導体基板がラッピングにより薄層化され、さらに化学的処理により歪層1aが除去されて両面に電極膜9、10が被着せられ、ダイシングにより半導体レーザチップ2化される。前記方法により半導体レーザチップ2が薄層化でき、30〜80μm厚に形成された半導体レーザチップをサブマウントにボンディングする。

Claim (excerpt)：

平板上サブマウントの主面に半導体レーザチップがボンディングされた半導体レーザ装置であって、前記半導体レーザチップの厚さが30〜80μmであることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (16)

特開昭58-079776
特開昭58-079776
特開昭64-024488

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