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J-GLOBAL ID：200903028359703489

半導体装置およびその製造方法

Inventor： エム・ビー・アナンド
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997357339
Publication number (International publication number)：1999186391
Application date： Dec. 25, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】ヴィアホール下の層間絶縁膜にボイドを形成せず、かつ配線溝の深さのばらつきを防止できるデュアルダマシン・プロセスを実現すること。【解決手段】ヴィアホール5が形成される層間絶縁膜12 ,13 の下にエッチングストッパ膜31 を設けて層間絶縁膜12 ,13 をエッチングした後、エッチング条件を変えてエッチングストッパ膜31 を除去することにより、フォトレジストパターン4に合せずれが生じても、層間絶縁膜11 にボイドを形成することなく、ヴィアホール5を形成できる。また、配線溝を形成する層間絶縁膜13 の下にエッチングストッパ膜32 を設けて、層間絶縁膜13 をオーバーエッチングすることにより、深さが層間絶縁膜13 の厚さに揃った配線溝7を形成できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成された第1の配線層と、前記半導体基板上に順次形成され、かつ前記第1の配線層に達する接続孔を有する第1、第2および第3の絶縁膜と、前記第3の絶縁膜上に形成され、かつ前記接続孔を介して前記第1の配線層に達する配線溝を有する第4の絶縁膜と、前記接続孔および前記配線溝の内部に形成された接続プラグ電極および第2の配線層としての導電膜とを具備してなり、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜とは互いに異なる材料からなる絶縁膜であり、かつ前記第3の絶縁膜と前記第4の絶縁膜とは互いに異なる材料からなる絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3213

FI (2)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/88 D