Pat

J-GLOBAL ID：200903028360095484

磁気メモリ装置

Inventor： 山田 光一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 宮園 博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001170765
Publication number (International publication number)：2002367364
Application date： Jun. 06, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】増幅器(センスアンプ)の構成が複雑になるのを防止するとともに、高速な読み出しが可能な磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】1つのTMR素子4と、1つのNMOSトランジスタ5とからなるメモリセル52と、NMOSトランジスタ5のゲートに接続されたワード線WLと、NMOSトランジスタ5を介してTMR素子4に接続されたビット線BLと、NMOSトランジスタ15を介して抵抗素子14に接続された参照ビット線BLrと、ビット線BLと参照ビット線BLrとに接続されたセンスアンプ53とを備えている。そして、データの読み出し時に、ビット線BLと参照ビット線BLrとの間に生じた電位差をセンスアンプ53を用いて読み出す。

Claim (excerpt)：

強磁性トンネル効果を示す1つの記憶素子と、前記記憶素子に接続される1つのトランジスタとからなるメモリセルと、前記トランジスタの制御端子に接続されたワード線と、前記トランジスタを介して前記記憶素子の一方端に接続されたビット線と、複数の前記ビット線に対して共通に設けられた参照ビット線と、前記ビット線と前記参照ビット線とに接続された増幅器とを備え、データの読み出し時に、前記ビット線と前記参照ビット線との間に生じた電位差を前記増幅器を用いて読み出す、磁気メモリ装置。

IPC (3)：

G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/14 Z ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z