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J-GLOBAL ID:200903028361558356

電界放出型表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大川 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996132083
Publication number (International publication number):1997320497
Application date: May. 27, 1996
Publication date: Dec. 12, 1997
Summary:
【要約】【課題】電子放出体の電子放出効率を高めて、FEDにおける消費電力の低下、発光輝度の向上及び長寿命化を図る。【解決手段】所定間隔で対向配設されたアノード電極4及びカソード電極5と、アノード電極4のカソード電極5との対向面に形成された蛍光体6と、カソード電極5のアノード電極4との対向面に形成された負の電子親和力をもつ電子放出体7とを備えている。電子放出体7は、相対密度が50〜90%とされている。これにより、電子放出体7における電子放出面積が相対密度の高いものと比べて大きくなっており、電子放出効率が向上している。このため、低電圧で電子放出体から多くの電子を放出することができ、FEDにおける消費電力の低下、発光輝度の向上及び長寿命化を図ることが可能となる。
Claim (excerpt):
所定間隔で対向配設されたアノード電極及びカソード電極と、該アノード電極の該カソード電極との対向面に形成された蛍光体と、該カソード電極の該アノード電極との対向面に形成された負の電子親和力をもつ電子放出体とを備えた電界放出型表示装置において、上記電子放出体の相対密度が50〜90%とされていることを特徴とする電界放出型表示装置。
IPC (2):
H01J 31/12 ,  H01J 1/30
FI (2):
H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 A

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