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J-GLOBAL ID：200903028366874345

表面放出型半導体レーザの製造方法と、その方法で得られるレーザ

Inventor： ジェローム フェスト ,  フランツ-カルル ラインハルト
Applicant, Patent owner： トムソン-セーエスエフ
Agent (1)： 越場 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991359357
Publication number (International publication number)：1994029612
Application date： Dec. 27, 1991
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 エピタキシ成長工程と不純物ドーピング工程と拡散工程とを含む多量子井戸を有する表面放出型レーザダイオード、特にレーザダイオードのアレーの製造方法。【構成】 最終レーザの寿命を短くする従来の化学エッチング工程を無くして、活性領域の周囲に不純物を注入する前に、活性領域をマスクを付けてレーザの横方向寸法を決める。ブラッグ鏡および活性領域層(量子井戸/中間層または超格子)の厚さは、レーザの閾値電流およびエネルギー効率を最適化するように、各量子井戸の利得を最適化し、ブラッグ鏡の損失を最小にするように選択する。【効果】 活性領域でのレーザ光線の伝搬軸線方向での光の閉じ込め特性と伝搬軸線に直角な方向でのキャリアの閉じ込め特性とを個別に最適化できる。

Claim (excerpt)：

レーザ表面に対して直角な軸線zに沿って光が放射される表面放出型レーザダイオードの製造方法において、(1) 互いに異なる化合物の層で構成される単結晶ブラッグ(Bragg) 鏡M2を単結晶基板(18)上にエピタキシャル成長させ、基板(18)およびブラッグ鏡M2に第1のドーパントをドープしてドープ領域中に第1の形式の遊離キャリアを発生させ、(2) 禁止帯E<SB>2 </SB>を有する第1の化合物の少なくとも1つの単結晶層(1) をエピタキシャル成長させ、(3) 禁止帯E<SB>1 </SB>の化合物の中間層(6) で区画・分離された複数の量子井戸(8) を有する活性層(10)を多層にエピタキシャル単結晶成長させ、量子井戸(8) は禁止帯E<SB>0 </SB><E<SB>1 </SB>≦E<SB>2 </SB>の別の化合物の薄膜であり、これらの多層活性媒体層の横方向寸法 (軸線zに対して直角な方向)を最終製品のレーザの活性媒体の寸法より大きくし、(4) 禁止帯E<SB>1 </SB>≦E<SB>2 </SB>の化合物の第2の層を単結晶成長させ、(5) 活性領域の最後の層の表面の一部をマスクして活性領域の横方向寸法を決定し、(6) (5) でマスクされた活性領域の外側を取り囲む領域(111) に、禁止帯E<SB>2 </SB>を有する第1のエピタキシャル層に達する深さ (軸線zに対して平行な方向)まで、第1の形式とは異なる第2の遊離キャリヤーをドープ領域(111) 中に発生させる第2の不純物を注入・拡散させ、(7) 禁止帯E<SB>1 </SB>の最後のエピタキシャル層(2) 上および基板(18)の下側表面に金属オーミック接点(32, 36)を堆積させ、(8) 活性領域上に半透明鏡M1を堆積させる段階を含む方法。