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J-GLOBAL ID：200903028376455650
窒化ガリウム系半導体電極構造
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001084836
Publication number (International publication number)：2001320120
Application date： Aug. 13, 1998
Publication date： Nov. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】窒化ガリウム系半導体素子における電極の剥離を防止する。【解決手段】最表面層が第1導電型の第1の半導体層である基板結晶上に形成されたストライプ状の開口部を持つ絶縁体マスクと、マスクのストライプ状の開口部に選択的に形成された一般式Inp Alq Ga1-p-q N(0≦p≦1、0≦q≦1、0≦p+q≦1)で表される半導体層を含む活性層と、活性層上の一般式Inu Alv Ga1-u-v N(0≦u≦1、0≦v≦1、0≦u+v≦1)で表される第2導電型半導体層を少なくとも1層含む第2の半導体層とを有する窒化ガリウム系発光素子において、第1の半導体層の結晶構造が六方晶であり、その表面が(0001)面または(0001)面となす角が10度以内である面であり、マスクのストライプ方向を第1の半導体層の[1-100]方向または[1-100]方向となす角が10度以内である方向に形成する。
Claim (excerpt)：
窒化ガリウム系半導体層と、前記窒化ガリウム系半導体層上に形成された絶縁体マスクと、前記絶縁体マスク上に形成された多結晶AlGaNと、前記多結晶AlGaN領域の表面に形成された電極とを有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体電極構造。
IPC (4)：
H01S 5/02
, H01L 29/43
, H01S 5/22
, H01S 5/343
H01S 5/02
, H01S 5/22
, H01S 5/343
, H01L 29/46 H
