Pat

J-GLOBAL ID：200903028376470501

変位センサ

Inventor： 遠藤 みち子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991168576
Publication number (International publication number)：1993018702
Application date： Jul. 10, 1991
Publication date： Jan. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 微小変位を検知可能な変位センサに関し、従来技術よりも小型化し高精度化することを目的とする。【構成】 可動部12と可動部12より四方に延在する4枚の薄板部13-1, 13-2, 13-3, 13-4と4枚の薄板部13-1, 13-2, 13-3, 13-4の延在端が連通する保持部14とを具え、シリコン基板より可動部12および保持部14と一体形成した4枚の薄板部13-1, 13-2, 13-3, 13-4には、薄板部13-1, 13-2, 13-3, 13-4の弾性変形によって抵抗値が変化する抵抗素子16を形成し構成する。さらに、可動部12には首振り自在な可動レバーの一端を接合するまたは、可動部12に永久磁石22を接合し首振り自在に支持された可動レバーには永久磁石22に対向する永久磁石23を接合した構成とする。

Claim (excerpt)：

可動部(12)と該可動部(12)より四方に延在する4枚の薄板部(13,13-1, 13-2, 13-3, 13-4) と該4枚の薄板部(13,13-1, 13-2, 13-3, 13-4)の延在端が連通する保持部(14)とを具え、シリコン基板より該可動部(12)および該保持部(14)と一体形成した該4枚の薄板部(13,13-1, 13-2, 13-3, 13-4) には、該薄板部(13,13-1, 13-2, 13-3, 13-4) の弾性変形によって抵抗値が変化する抵抗素子が形成されてなることを特徴とする変位センサ。

IPC (3)：

G01B 7/00 ,  G01B 7/18 ,  G06F 3/033 330