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J-GLOBAL ID：200903028395265439

ドライエッチング方法

Inventor： 大岩 徳久 ,  林 久貴 ,  堀岡 啓治 ,  岡野 晴雄 ,  松下 貴哉 ,  長谷川 功宏 ,  竹内 章
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992071380
Publication number (International publication number)：1993308062
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Nov. 19, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 エッチング速度がパターンの大きさに依存することなく、かつエッチング選択比の高いシリコン酸化膜のエッチング方法を提供する。【構成】 本発明では、基板上のシリコン酸化膜上に開口径0.1μm 以上1μm 以下の開口部を有するマスクパターンを形成し、反応容器内にフッ化炭素ガスと水素ガスとを含む混合ガスを、該水素ガスの合計量に対する混合比が50〜80%となるように導入して、プラズマエッチングによってアスペクト比1以上の開口部を形成する。また上記プロセスにおいて、気相中にCFx (x :0≦x ≦2)を主成分とする活性種を形成し、堆積膜の形成を抑制しながら、エッチングする。さらにエッチング深さのばらつきが1割以内の領域から急減する変化点を経て、元に戻る時の比率以上に前記水素ガスを添加して、エッチングする。また、前記変化点に相当する開口径以上及び以下の開口部が混在するマスクパターンに沿って、エッチングする。

Claim (excerpt)：

基板上にシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜上に少なくとも開口径0.1μm 以上1μm 以下の開口部を有するマスクパターンを形成する工程と、前記基板を反応容器に収容し、この反応容器内にフッ化炭素ガスと水素ガスとを含む混合ガスを、該水素ガスの前記フッ化炭素ガスと水素ガスとの合計量に対する混合比が50〜80%の範囲領域となるように導入する工程と、前記混合ガスをプラズマ化し、前記マスクパターンに沿って前記シリコン酸化膜をエッチングすることによって、前記マスクパターンの間口部下の前記シリコン酸化膜にアスペクト比1以上の開口部を形成するエッチング工程とを具備することを特徴とするドライエッチング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-036022
  
• 特開平3-154337
  
• 特開平3-155621