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J-GLOBAL ID：200903028397676487
β-FeSi2の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
鈴木 利之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003081963
Publication number (International publication number)：2004289045
Application date： Mar. 25, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：
【課題】溶融塩法を用いてFeSi基板上にβ-FeSi2を形成することにより,気相堆積装置などの大掛かりな装置を必要とすることなく,また,FeやSiを溶かすほどの高温にすることもなく,簡単な装置を用いて,β-FeSi2を大面積でも安価に製造する。【解決手段】Si原子とフッ素原子とを含む溶融塩をFeSi基板に接触させて,これを前記溶融塩の融点から937°Cまでの温度範囲内に所定時間維持することでFeSi基板上にβ-FeSi2を形成する。溶融塩の材料としては,NaClを基塩にして,これにNaFとNa2SiF6を加え,さらに,Si粉末を添加する。この溶融塩材料とFeSi基板10とをるつぼ12に入れて900°Cで例えば1時間維持すると,厚さが8μm程度のβ-FeSi2薄膜がFeSi基板上に形成される。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
Si原子とフッ素原子とを含む溶融塩をFeSi基板に接触させて,これを前記溶融塩の融点から937°Cまでの温度範囲内に所定時間維持することにより,前記FeSi基板上にβ-FeSi2を形成することを特徴とするβ-FeSi2の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
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