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J-GLOBAL ID：200903028408298269

タングステンコンタクトコア・スタックキャパシタおよびその成形方法

Inventor： フェルナンド・ゴンザレス ,  ロジャー・アール・リー
Applicant, Patent owner： マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
Agent (1)： 田澤 博昭 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992314390
Publication number (International publication number)：1993218334
Application date： Oct. 30, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 タングステンコンタクトコア・スタックキャパシタおよび成形方法の提供。【構成】 この記憶ノードキャパシタプレートは第1および第2キャパシタ部分から成る。第1部分は自己整合タングステンとTiNとから成るコア(95)である。第1実施態様における第2部分は,形成後その場でリン拡散ドーピングした記憶ノードポリシリコン(110)である。第2実施態様における第2部分は,タングステンとTiNとから成るコア上に上方に積み上がって水平に形成されたタングステンフィンガーから成る。TiN部分は隣接タングステンフィンガー間のスペースを提供する。頂部ポリシリコン層(120)は頂部キャパシタプレートとして機能し,かつ誘電層(115)により下方キャパシタプレートから絶縁されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に少なくとも一つのキャパシタを形成させる方法において該方法が、a)少なくとも該基板(3)上に重ねて誘電隔離層間膜(40,75)を形成し、b)該基板(3)のコンタクト区域(82)を露出させるために該層間膜(40,75))に第1開口(81)をエッチングし、c)該層間膜(40,75)および該コンタクト区域(82)上に重ねて障壁材料層(85)を形成し、d)該障壁材料(85)上に重ねて該第1開口(81)を満たすように耐火性金属(90)を形成し、e)該耐火性金属(90)の頂部および該障壁材料(85)の頂部を除去して該層間膜(75)を露出させ、該耐火性金属(90)および該除去後に残留した障壁材料(85)から成る記憶ノードキャパシタプレートの第1部分(95)を形成し、f)該層間膜における該記憶ノードキャパシタプレートの該第1部分(95)に隣接して第2開口(100)を創り、g)該第2開口(100)中に電気導電性材料(110)を形成して該第1部分(95)を被覆し、該電気導電性材料(110)により該記憶ノードキャパシタプレートの第2部分を形成させ、h)該記憶ノードキャパシタプレート上に重ねて誘電層(115)を形成し、i)該誘電層上に重ねてキャパシティブ層(120)を形成して該キャパシティブ層(120)によりセルキャパシタプレートを形成させ、該誘電層(115)により該キャパシティブ層(120)を該記憶ノードキャパシタプレートから絶縁する、工程から成る方法。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04