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J-GLOBAL ID：200903028430661601

デュアルゲートおよびその製造方法

Inventor： 須澤 寛
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996065624
Publication number (International publication number)：1997260509
Application date： Mar. 22, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】 熱処理によって、ポリサイド中の不純物がシリサイド層と通じて相互拡散を起こしてため、ゲートを構成する多結晶シリコンの仕事関数が変化してしきい値電圧Vthが変動するという課題を生じる。【解決手段】 p型の導電層15p とそれに接合するn型の導電層15n とを設け、p型の導電層15p 上に第1金属シリサイド層16(16a) を形成するとともにn型の導電層15n 上とに第2金属シリサイド層16(16b) を形成し、p型の導電層15p とn型の導電層15n との境界上の金属シリサイド層16に溝17を形成し、溝17の内部に、少なくとも第1,第2金属シリサイド層16a,16b を分離するとともに第1,第2金属シリサイド層16a,16b 間で起きる不純物の相互拡散を阻止する導電性の金属系材料からなる埋め込み導電層20を形成した構成のものである。

Claim (excerpt)：

導電層の一方に形成した第1導電型の導電層と、前記第1導電型の導電層に接合するもので前記導電層の他方に形成した前記第1導電型とは逆導電型である第2導電型の導電層と、前記第1導電型の導電層上および前記第2導電型の導電層上に形成した金属シリサイド層と、前記第1導電型の導電層と前記第2導電型の導電層との境界上の前記金属シリサイド層に形成した溝と、少なくとも前記第1金属シリサイド層と前記第2金属シリサイド層とを分離する状態に前記溝の内部に形成されたものであって前記第1金属シリサイド層と前記第2金属シリサイド層との間で起きる不純物の相互拡散を阻止する導電性の金属系材料からなる埋め込み導電層とを備えたことを特徴とするデュアルゲート。

IPC (3)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28 301

FI (2)：

H01L 27/08 321 D ,  H01L 21/28 301 T