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J-GLOBAL ID：200903028451057194

半導体装置

Inventor： 中島 高士
Applicant, Patent owner： 株式会社三井ハイテック
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995227099
Publication number (International publication number)：1997055447
Application date： Aug. 11, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【目的】 より薄型化、小型化ができ、高周波デバイスに適するギャングボンディング接続のBGA型半導体装置を低コストで得る。【構成】 片面に回路パタ-ンを形成し、他面側に接着剤を介して補強支持材が接着された樹脂性テ-プと、前記回路パタ-ンのリ-ド先端部とギャングボンドで接続した半導体チップと、前記回路パタ-ンに接続した半田ボ-ルとを有する半導体装置において、前記補強支持材と前記半田ボ-ルの中の所定の半田ボ-ルを、前記樹脂性テ-プと前記接着剤層に設けた貫通孔を通して導通させ補強支持材をグランドプレ-ンの機能も兼備させている。

Claim (excerpt)：

片面に回路パタ-ンを形成し、他面側に接着剤を介して補強支持材が接着された樹脂性テ-プと、該樹脂性テ-プに形成された前記回路パタ-ンのリ-ド先端部とギャングボンドで接続した半導体チップと、前記回路パタ-ンに接続した半田ボ-ルとを有する半導体装置において、前記補強支持材と前記半田ボ-ルの中の所定の半田ボ-ルを、前記樹脂性テ-プと前記接着剤層に設けた貫通孔を介して導通し補強支持材にグランドプレ-ンの機能も備えたことを特徴とする半導体装置。