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J-GLOBAL ID：200903028458345969

半導体基板の製造装置

Inventor： 城生愛次 ,  立川昭義 ,  藍郷 崇 ,  森谷明弘
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 本多 小平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992079638
Publication number (International publication number)：1993283345
Application date： Apr. 01, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体のヘテロ成長を行う時に発生する基盤構成元素の成長膜中へのドーピングを抑えることのできる半導体基板の製造装置を提供することを目的としている。【構成】 半導体ヘテロ成長装置内において、成長原料12の流れに対して、半導体基板11を垂直に配置し、さらに基板回転を可能とする機能を持たせる。これにより、基板表側から裏側への流れが生じ、基板表面から気化した基板構成元素13は、基板表側に出て来れず、成長膜16の中に混入することがなくなる。【効果】 半導体基板からの元素ドーピングがなくなり、成長条件およびドーピングガスの導入によって、成長膜の電気特性の制御が可能となる。

Claim (excerpt)：

単元素または多元素から成る半導体材料を基板として、前記基板上に前記基板と異なる単元素または多元素を成分とする半導体材料を気相中または真空中での堆積によって形成する半導体基板製造装置において、前記半導体基板を気相の流れまたは真空中での原子および分子の流れ方向に対して垂直に配置することを特徴とする半導体基板の製造装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20