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J-GLOBAL ID:200903028464636851

スピンバルブ素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 河野 登夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995199865
Publication number (International publication number):1997050608
Application date: Aug. 04, 1995
Publication date: Feb. 18, 1997
Summary:
【要約】【課題】 良好な軟磁気特性と共に高いMR比を得ることができるスピンバルブ素子を提供する。【解決手段】 Si製の基板1上には主にNi-Fe,Co等の結晶質、又はCo-Zr-M(MはNb,Ta,Re又はMo)等の非晶質の金属磁性材料を積層した磁性自由層2が形成されており、該磁性自由層2上にはCu,Au又はAg等,他層より電気抵抗が小さい材料を用いた非磁性導電層3が共にスパッタリングによって形成されている。非磁性導電層3上にはCoを90原子%以上含むCo-Zr-M(MはNb,Ta,Re又はMo)の非晶質層41が積層されており、該非晶質層41上にはNiFeの軟磁性材料を用いた結晶質層42が積層されており、非晶質層41及び結晶質層42によって磁性固定層4が形成されている。そして、磁性固定層4の結晶質層42上にはFeMnの反強磁性層5が形成されており、反強磁性層5上にはTaといった保護層6が形成されている。
Claim (excerpt):
基板上に外部磁場によって磁化される第1磁性層と、非磁性導電層と、隣接する磁性層の磁化と交換結合する第2磁性層と、予め磁化されている反強磁性層とがこの順番に形成されているスピンバルブ素子において、前記第2磁性層は結晶質層及び非晶質層を備え、前記反強磁性層は前記結晶質層の上に形成されていることを特徴とするスピンバルブ素子。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 磁気抵抗効果素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-296063   Applicant:株式会社東芝

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