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J-GLOBAL ID：200903028491048708

真空処理装置の基板加熱機構

Inventor： 酒井 純朗 ,  明田川 賢一 ,  室田 裕義 ,  辰巳 徹
Applicant, Patent owner： アネルバ株式会社 ,  日本電気株式会社
Agent (1)： 井ノ口 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994207914
Publication number (International publication number)：1996052341
Application date： Aug. 09, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 成膜の終了した基板の温度を急速に冷却して基板処理時間の短縮化を図るとともに熱拡散により発生する加工形状の変化および添加不純物の濃度異常を低減化する。【構成】 真空処理装置の成長室4に基板1を配置するとともに基板1に対向してヒータ2を設ける。ヒータ2はヒータ移動機構13により上下に移動可能である。基板処理が終了した後、ヒータの電源を遮断するとともにヒータを基板1より遠ざけることにより入射する熱量を少なくして自身の熱放射による急速冷却を行い、熱拡散を抑える。

Claim (excerpt)：

真空中で基板とヒータを対向させて基板を加熱し所定温度に上昇させた後、基板表面を処理する真空処理装置において、前記基板を処理した後、前記ヒータの電源を切断するとともに当該ヒータを基板より離隔する機構を設けたことを特徴とする真空処理装置の基板加熱機構。

IPC (4)：

B01J 3/00 ,  C23C 14/50 ,  C30B 23/00 ,  C30B 31/12