発光半導体チップ組立体及び発光半導体リードフレーム

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清水敬一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000332882
Publication number (International publication number)：2002141559
Application date： Oct. 31, 2000
Publication date： May. 17, 2002
Summary：

【要約】【課題】蛍光体を有する半導体発光装置を製造する際に、ボンディングワイヤ又は半導体チップを損傷しない。【解決手段】電極(1a, 1b)が形成された上面を有する発光ダイオードチップ(1)と、透明な接着剤(3)により半導体発光チップ(1)の底面に固着された蛍光体チップ(2)とを発光半導体チップ組立体に設ける。蛍光体チップ(2)を使用するので、ボンディングワイヤ又は半導体チップを損傷せずに、半導体発光装置を製造することができる。発光ダイオードチップ(1)は、窒化ガリウム系化合物半導体より成る発光波長ピーク約430nm〜約480nmの青色光を発生する発光層を備えている。蛍光体チップ(2)は、一般式:(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12:Cez,Prw、但し、0≦x≦0.5、0≦y≦0.5、0.001≦z≦0.5及び0.001≦w≦0.5により表される蛍光体を含むため、赤色系発光となる波長成分の新たな発光ピーク及び十分な輝度が得られ、演色性が向上する。

Claim (excerpt)：

電極が形成された上面を有する発光半導体チップと、透明な接着剤により前記半導体発光チップの底面に固着された蛍光体チップとを備え、前記発光半導体チップは、窒化ガリウム系化合物半導体より成る発光波長ピーク約430nm〜約480nmの青色光を発生する発光層を備え、前記蛍光体チップは、一般式:(Y1-x,Gdx)3(Al1-y,Gay)5O12:Cez,Prw、但し0≦x≦0.5、0≦y≦0.5、0.001≦z≦0.5及び0.001≦w≦0.5により表される成る蛍光体を含むことを特徴とする発光半導体チップ組立体。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 23/48

FI (2)：

H01L 33/00 N , H01L 23/48 Y

F-Term (5)：

5F041CA40 , 5F041DA18 , 5F041DA42 , 5F041DA74 , 5F041EE25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

発光ダイオード装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-222785 Applicant：サンケン電気株式会社
波長変換する注型材料の使用方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-048025 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
赤の不足を補償する蛍光体を使用したLED
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-031534 Applicant：アジレント・テクノロジーズ・インク

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