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J-GLOBAL ID：200903028496233325

III -V族化合物半導体ウエハ及びその製造方法

Inventor： 井上 哲也 ,  中井 龍資
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996114277
Publication number (International publication number)：1997278595
Application date： Apr. 10, 1996
Publication date： Oct. 28, 1997
Summary：

【要約】【目的】 結晶の方位を示すOF、IFを、自然劈開法より正確に化合物半導体オフアングルウエハに与える方法を提供すること。【構成】 単結晶インゴットの段階で、X線回折法によってインゴットの結晶方位を決め、OF、IFになるべき部分の側面を長手方向に機械研削し、所望のオフアングル方向にインゴットを切りだし、オフアングルウエハを製造する。

Claim (excerpt)：

(100)面から(0±1±1)面方向に5 ゚〜90 ゚傾いた面を持つオフアングルの化合物半導体ウエハの製造方法であって、(100)方向から(0±1±1)方向に所望のオフアングルΘ(5 ゚≦Θ≦90 ゚)だけ傾斜した方向に単結晶を成長させ、結晶の劈開方向をしめすOF、IFを付すために単結晶インゴットの状態でX線回折によって劈開面方向を求め、直交する劈開面方向にOF、IFになるべき平坦面をインゴットの軸方向に機械研削し、結晶を軸に直角方向に切断して、OF、IFを有する所望のオフアングルウエハを製造する事を特徴とするIII -V族化合物半導体ウエハの製造方法。

IPC (6)：

C30B 29/40 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/66 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (7)：

C30B 29/40 A ,  C30B 29/40 D ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/66 P ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/18