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J-GLOBAL ID：200903028501645009

薄膜形成方法

Inventor： 桐村 浩哉 ,  桑原 創
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 山本 惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992200221
Publication number (International publication number)：1994287759
Application date： Jul. 02, 1992
Publication date： Oct. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】 プラズマCVD法によるものであって、パーティクルの発生を抑制し、かつ低温成膜においても膜の結晶化を促進させることができる薄膜形成方法を提供する。【構成】 放電電極8とホルダ兼電極6との間に、高周波電源14aから、元となる高周波信号に対して、それを断続させる第1の変調と、この第1の変調よりも短い周期で断続させる第2の変調とをかけた高周波電力を供給する。かつ、ホルダ兼電極6に、バイアス電源24から、上記高周波電力の第2の変調に同期して断続する負のバイアス電圧を印加する。

Claim (excerpt)：

基体を保持するホルダ兼電極とこれに対向する放電電極との間の高周波放電によってプラズマを発生させるプラズマCVD法によって基体の表面に薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記放電電極とホルダ兼電極との間に、元となる高周波信号に対して、それを断続させる第1の変調と、この第1の変調よりも短い周期で断続させる第2の変調とをかけた高周波電力を供給すると共に、前記ホルダ兼電極に、当該高周波電力の第2の変調に同期して断続する負のバイアス電圧を印加することを特徴とする薄膜形成方法。