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J-GLOBAL ID：200903028501993554
薄膜形成方法及び薄膜形成装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宇高 克己
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994236665
Publication number (International publication number)：1996100258
Application date： Sep. 30, 1994
Publication date： Apr. 16, 1996
Summary：
【要約】【目的】 真空系におけるフィルムの走行具合を制御する為の技術を提供することである。【構成】 真空中で走行する支持体面上に薄膜を設ける薄膜形成方法であって、真空中で走行する支持体面上に薄膜を設ける工程と、静電容量検出部を通過する支持体の位置変動による静電容量変化を検出し、この検出値を基にして支持体の走行を制御する工程とを具備する薄膜形成方法。
Claim (excerpt)：
真空中で走行する支持体面上に薄膜を設ける薄膜形成方法であって、真空中で走行する支持体面上に薄膜を設ける工程と、静電容量検出部を通過する支持体の位置変動による静電容量変化を検出し、この検出値を基にして支持体の走行を制御する工程とを具備することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (4)：
C23C 14/54
, C23C 14/56
, G11B 5/85
, H01F 41/20
