Pat

J-GLOBAL ID：200903028510717489

半導体レーザ・原子吸収セル実装装置の構造

Inventor： 古山 義人 ,  中島 義文 ,  熱海 健 ,  千葉 一治
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992265211
Publication number (International publication number)：1994120584
Application date： Oct. 05, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 光周波数標準器, LD励起型原子発振器等のように、半導体レーザと原子吸収セルとを実装した装置の構造に関し、温度コントローラの消費電力を節減し得ることを目的とする。【構成】 半導体レーザと原子吸収セルとを実装した装置において、ペルチェ素子20の吸熱板21を半導体レーザ1のヒートシンクに密着させ、ペルチェ素子20の放熱板22を原子吸収セル3を内蔵した収容ケース10に密着させた構成とする。

Claim (excerpt)：

半導体レーザと原子吸収セルとを実装した装置において、ペルチェ素子(20)の吸熱板(21)を、半導体レーザ(1) のヒートシンクに密着させ、該ペルチェ素子(20)の放熱板(22)を、該原子吸収セル(3) を内蔵した収容ケース(10)に、密着させたことを特徴とする半導体レーザ・原子吸収セル実装装置の構造。

IPC (3)：

H01S 1/00 ,  H01S 3/133 ,  H03L 7/26