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J-GLOBAL ID：200903028518500594

半導体レーザ装置

Inventor： 中塚 慎一 ,  斉藤 勝利 ,  梶村 俊
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996138020
Publication number (International publication number)：1996279652
Application date： Feb. 18, 1987
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】戻り光雑音に強いとされる自励発振する半導体レーザを容易な構造で実現すること。【構成】活性層と、当該活性層に接合され且つこれよりも屈折率の小さなクラッド層と、当該クラッド層中に離間して設けられ且つこれと逆導電型を有し且つこれより屈折率の大きい光吸収層とを含み、この活性層と光吸収層との間にクラッド層より屈折率または光吸収の大きい第1の半導体層が形成して半導体レーザ装置を構成する。【効果】第1の半導体層は、ストライプ外部に染みだした光に対し強い吸収を持つ。ストライプ内外の利得差が大きい場合、ストライプ領域の屈折率変動によりレーザのスポットサイズが大きく変わり、これに伴う自励発振が発生する。

Claim (excerpt)：

活性層と、該活性層に接合され且つ活性層よりも屈折率の小さなクラッド層と、該クラッド層中に離間して設けられ且つクラッド層と逆導電型を有し且つクラッド層より屈折率の大きい光吸収層とを含み、上記活性層と上記光吸収層との間に上記クラッド層より屈折率または光吸収の大きい第1の半導体層が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-171188
  
• 特開昭62-279688