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J-GLOBAL ID：200903028538693208

電力用半導体素子の劣化判断方法

Inventor： 城戸 善治 ,  林 幸広
Applicant, Patent owner： 株式会社明電舎
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000184116
Publication number (International publication number)：2002005989
Application date： Jun. 20, 2000
Publication date： Jan. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】 インバータ装置の突発事故を未然に防止できるようにした。【解決手段】 通電工程21で、電流Icを流し、IGBT素子のc・e間の電圧Vce1を、電圧記憶工程22で測定し記録しておく。次に、一定時間経過後、再度電流Icを流し、そのときのc・e間の電圧Vce2を電圧測定工程23で測定する。この電圧測定工程23で測定したc・e間の電圧Vce2は、前記電圧Vce1と電圧比較工程24で比較され、その差異を求め、その差異が予め定められた基準値と比較判定工程25で比較判定され、基準値に到達していないなら、前記電圧測定工程23を繰り返し行って、その都度、電圧比較工程24でVce1と比較し、その差異を基準値と比較判定工程25で比較する。そして、Vce1とVce2との差異を素子劣化判定工程26で基準値と比較し、差異が基準値に到達したなら素子の劣化が進行して素子が寿命に到達したと判断する。

Claim (excerpt)：

電力用半導体素子に一定の電流を通流させ、その半導体素子の電気的初期状態を測定して記憶する第1工程と、この第1工程で測定した電気的初期状態から一定時間経過した後、再度電力用半導体素子に一定の電流を通流して、その半導体素子の電気的状態を測定する第2工程と、この第2工程で測定して得られた電気的状態と第1工程で測定して得られた電気的初期状態とを比較して差異を求める第3工程と、この第3工程で求められた差異が予め設定された基準値に到達しているかを判定する第4工程と、この第4工程で差異が基準値に到達していたなら半導体素子の劣化が進行していると判定する第5工程とからなることを特徴とする電力用半導体素子の劣化判断方法。

IPC (4)：

G01R 31/26 ,  H02M 1/00 ,  H02M 7/12 ,  H02M 7/48

FI (4)：

G01R 31/26 H ,  H02M 1/00 B ,  H02M 7/12 H ,  H02M 7/48 M

F-Term (44)：

2G003AA00 ,  2G003AC03 ,  2G003AC09 ,  2G003AD06 ,  2G003AF06 ,  2G003AH10 ,  5H006AA04 ,  5H006BB05 ,  5H006CA01 ,  5H006CA07 ,  5H006CA12 ,  5H006CA13 ,  5H006CB08 ,  5H006CC01 ,  5H006CC05 ,  5H006DB01 ,  5H006DC05 ,  5H006DC08 ,  5H006HA08 ,  5H007AA12 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB04 ,  5H007CB05 ,  5H007CC12 ,  5H007CC23 ,  5H007DB12 ,  5H007DC05 ,  5H007DC08 ,  5H007FA12 ,  5H007FA13 ,  5H007GA13 ,  5H740AA04 ,  5H740AA08 ,  5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740BB09 ,  5H740BC06 ,  5H740MM08 ,  5H740MM11 ,  5H740NN17 ,  5H740NN18 ,  5H740PP02 ,  5H740PP03