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J-GLOBAL ID：200903028552181554

エッチング方法

Inventor： 西川 和康 ,  芝野 照夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994260212
Publication number (International publication number)：1996124904
Application date： Oct. 25, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 多元系酸化物からなるキャパシタ用絶縁膜、高融点金属からなる該キャパシタ用絶縁膜の上下電極膜、及び下部電極の周囲に形成されるサイドウォール用酸化膜のエッチングにおいて、高精度のエッチング終点位置検出を行いエッチングの深さ制御を行う。【構成】 多元系酸化物からなるキャパシタ用絶縁膜、高融点金属からなる該キャパシタ用絶縁膜の上下電極膜、及び下部電極の周囲に形成されるサイドウォール用酸化膜のエッチングにおいて、それぞれの膜を構成する元素または該元素を含むエッチング反応生成物に関する特定の物理量(発光スペクトル、吸収スペクトル、質量スペクトル)を計測し、その時間変化を解析することによりエッチングの終点位置を高精度に検出し、エッチングの深さ制御が実現し、半導体集積回路の製造において歩留りが向上する。

Claim (excerpt)：

キャパシタ用絶縁膜として化学式がABO3で表され、AとしてPb、La、Sr、Ba、Liから選ばれる1つ以上の元素を含み、BとしてZr、Ti、Ta、Nbから選ばれる1つ以上の元素を含む多元系酸化物からなる膜を用い、キャパシタ用絶縁膜の上または下部電極としてTi、Pt、Ru、Ir、Pd、Os、Rhから選ばれる1つ以上の元素を含む高融点金属含有膜を用い、エッチングガスをプラズマ化して上記多元系酸化物からなる膜及び高融点金属含有膜を所望の形状にエッチングすることにより形成する半導体集積回路の製造方法において、上記化学式がABO3で表され、Bとして少なくともTiが選ばれた多元系酸化物からなる膜のエッチング時に、Tiに帰属する500nmあるいは520nmの波長の発光スペクトルを同時あるいは該スペクトルの一方を計測することによってエッチングの終点を検出することを特徴とするエッチング方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 21/302 E ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651