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J-GLOBAL ID:200903028557166456

DNA増幅装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 下田 茂
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003358189
Publication number (International publication number):2005117988
Application date: Oct. 17, 2003
Publication date: May. 12, 2005
Summary:
【課題】 迅速な昇温制御及び降温制御を可能にし、融通性のある的確な温度制御を実現するとともに、処理効率の向上及び省電力性の向上を図る。また、サーモモジュールでの熱応力破壊を防止し、耐久性(寿命)を高める。【解決手段】 DNA検体を含む反応溶液を収容可能なセル部C...を有する処理ブロック2と、この処理ブロック2を加熱冷却するペルチェ素子d...を用いたサーモモジュール3...を備えるとともに、特に、処理ブロック2を、サーモモジュール3...の加熱冷却側に当接し、かつ厚さLbを略3〔mm〕以下に選定したセラミックス素材又は/及びグラファイト素材を用いて形成した基盤部5と、この基盤部5の上面に配し、かつセラミックス素材及びグラファイト素材とは異なる素材により形成したセル部C...により構成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
DNA検体を含む反応溶液を収容可能な一又は二以上のセル部を有する処理ブロックと、この処理ブロックを加熱冷却するペルチェ素子を用いた一又は二以上のサーモモジュールと、少なくとも前記サーモモジュールに対する通電制御を行うコントローラを備えるDNA増幅装置において、前記処理ブロックを、前記サーモモジュールの加熱冷却側に当接し、かつ厚さを略3〔mm〕以下に選定したセラミックス素材又は/及びグラファイト素材により形成した基盤部と、この基盤部の上面に配し、かつセラミックス素材及びグラファイト素材とは異なる素材により形成した一又は二以上のセル部により構成してなることを特徴とするDNA増幅装置。
IPC (1):
C12M1/00
FI (1):
C12M1/00 A
F-Term (4):
4B029AA09 ,  4B029AA23 ,  4B029BB20 ,  4B029HA10
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • DNA増幅装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-376962   Applicant:株式会社安川電機

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