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J-GLOBAL ID：200903028558753525

光半導体素子、及びその製造方法

Inventor： 餌取 秀樹 ,  朴 鐘震
Applicant, Patent owner： 財団法人川村理化学研究所
Agent (1)： 高橋 勝利
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001071972
Publication number (International publication number)：2002270923
Application date： Mar. 14, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】 感度の減少を抑え、光電流/暗電流比を向上させた光半導体素子、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 電極層(a)、分子性光導電材料蒸着膜からなる光導電層(b)、自己組織化膜からなる絶縁層(c)、及び電極層(d)が、この順で積層された光半導体素子であって、暗電流が、絶縁層(c)を有さない、(a)(b)(d)のみからなる光半導体素子の暗電流の2分の1以下であることを特徴とする光半導体素子、及びその製造方法。

Claim (excerpt)：

電極層(a)、分子性光導電材料蒸着膜からなる光導電層(b)、自己組織化膜からなる絶縁層(c)、及び電極層(d)が、この順で積層された光半導体素子であって、暗電流が、絶縁層(c)を有さない、(a)(b)(d)のみからなる光半導体素子の暗電流の2分の1以下であることを特徴とする光半導体素子。

IPC (3)：

H01L 51/10 ,  H01L 31/08 ,  H01L 27/14

FI (2)：

H01L 31/08 T ,  H01L 27/14 Z

F-Term (14)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118CA14 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  5F088AA11 ,  5F088AB11 ,  5F088AB13 ,  5F088BA04 ,  5F088BB03 ,  5F088CB07 ,  5F088FA05 ,  5F088FA20 ,  5F088GA02