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J-GLOBAL ID：200903028558913298

半導体装置の製造方法

Inventor： 周藤 祥司
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991203411
Publication number (International publication number)：1993029249
Application date： Jul. 18, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ソース・ドレイン領域におけるコンタクト窓を形成する際のエッチング用のマスクパターンの位置合わせに余裕を与えると共に、コンタクト窓が微細化してもそのマスクパターンにおける開口径を大きくできて、コンタクト窓を精度良く形成できるコンタクト窓の形成方法を提供する。【構成】 ゲート電極4の側壁に第2絶縁膜(Si3 N4 膜)5を残存させた状態で、Si半導体基板1全域に第3絶縁膜(SiO2膜)6を形成した後、フォトリソグラフィ技術にてコンタクト窓用のレジストパターン7を形成し、第2絶縁膜5(Si3 N4 )に対して第3絶縁膜6(SiO2 )が選択的にエッチングされる条件にて第3絶縁膜6に異方性エッチングを施してコンタクト窓を形成する。

Claim (excerpt)：

複数のトランジスタ素子を備える半導体装置を製造する方法において、半導体基板の前記トランジスタ素子を形成すべき領域に第1絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、前記半導体基板の全域に第2絶縁膜を形成する工程と、該第2絶縁膜に異方性エッチングを施して前記ゲート電極の側壁に前記第2絶縁膜を残存させる工程と、前記第2絶縁膜に対する選択的エッチングが可能である第3絶縁膜を前記半導体基板の全域に形成する工程と、ソース・ドレイン領域におけるコンタクト窓のレジストパターンをフォトリソグラフィにより形成する工程と、前記第2絶縁膜に対して前記第3絶縁膜が選択的にエッチングされる条件にて前記第3絶縁膜をエッチングして前記コンタクト窓を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/90 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-053775
  
• 特開昭63-207154
  
• 特開昭64-004048