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J-GLOBAL ID：200903028563965573
カーボンナノチューブの製造方法、電界放出型冷陰極装置およびその製造方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998255515
Publication number (International publication number)：2000086216
Application date： Sep. 09, 1998
Publication date： Mar. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】個々のエミッタに十分な電圧を印加し、安定した大放出電流を得る。【解決手段】シリコン基板1上に形成されたSiO2 膜2及びゲート層3のパターニングの後にスパッタによりFe薄膜5を形成すると同時に露出したシリコン基板1表面にFeドット6を形成し、電磁石7によりFeドット6にシリコン基板1表面に対して垂直方向に磁界を印加してFeドット6を吸引しながらFeドット6とシリコン基板1間にカーボンナノチューブ8を選択的に成長させることによりエミッタ電極を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体、金属又は絶縁体の基板上に選択的に露出した磁性材料からなる金属触媒ドットに、前記基板表面に対して垂直方向に磁界を印加してカーボンナノチューブを選択的に成長させ、前記金属触媒ドットを該カーボンナノチューブの先端部に残存させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
IPC (4)：
C01B 31/02 101
, C23C 16/26
, H01J 1/304
, H01J 9/02
C01B 31/02 101 F
, C23C 16/26 Z
, H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
4G046CC09
, 4K030AA10
, 4K030AA17
, 4K030BA27
, 4K030BA44
, 4K030BB13
, 4K030CA04
, 4K030HA01
, 4K030LA11
Cited by examiner (3)
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特開平4-332423
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電子放出素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-161506
Applicant：日本電気株式会社
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冷陰極電極構造とその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-010699
Applicant：三菱電機株式会社
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