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J-GLOBAL ID：200903028597439820

半導体デバイスのバリアメタル

Inventor： 川島 伊久衛 ,  花岡 克成
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー ,  リコー応用電子研究所株式会社
Agent (1)： 樺山 亨 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992085545
Publication number (International publication number)：1993291560
Application date： Apr. 07, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】膜厚が薄くても、より高いバリア特性を有することのできるバリアメタルを提供する。【構成】金属もしくは金属間化合物あるいは金属化合物の薄膜からなり、シリコン(Si)半導体デバイスのSi基板1と該基板1上に形成される配線用金属3との間に設けられるバリアメタル2であって、その組織の一部もしくは全部がアモルファス部であることを特徴とする。【効果】バリアメタルを構成する薄膜の組織の一部もしくは全部をアモルファス部としたことにより、アモルファス部では膜中に結晶粒界を持たないため、粒界からの配線用金属(Al等)とSiの拡散が防止され、高いバリア性が得られる。

Claim (excerpt)：

金属もしくは金属間化合物あるいは金属化合物の薄膜からなり、シリコン(Si)半導体デバイスのSi基板と該基板上に形成される配線用金属との間に設けられるバリアメタルであって、その組織の一部もしくは全部がアモルファス部であることを特徴とする半導体デバイスのバリアメタル。

IPC (2)：

H01L 29/46 ,  H01L 21/28 301