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J-GLOBAL ID：200903028597961925

SiCショットキーダイオードの製造方法

Inventor： 浅井 隆一
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999038198
Publication number (International publication number)：2000236099
Application date： Feb. 17, 1999
Publication date： Aug. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】SiCショットキーダイオードにおいて、逆方向電圧印加時のもれ電流を低減する。【解決手段】ショットキー電極形成後に雰囲気:真空、水素を含む不活性ガス(Ar等)温度 :200±50°Cまたは600±50°C時間 :5〜30分間の熱処理をおこなう。

Claim (excerpt)：

半導体炭化けい素を用い、ニッケルをショットキー電極とする炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法において、ショットキー電極とするニッケル膜を被着後、200±50°Cまたは600±50°Cで5〜30分間熱処理することを特徴とする炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法。

FI (2)：

H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 M

F-Term (7)：

4M104AA03 ,  4M104BB21 ,  4M104CC03 ,  4M104DD37 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03