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J-GLOBAL ID:200903028606891811

稀薄キャリア装置および製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 池内 義明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998112824
Publication number (International publication number):1998289998
Application date: Apr. 08, 1998
Publication date: Oct. 27, 1998
Summary:
【要約】【課題】 3-D閉じ込め微細構造を有用な装置において効率的に製造できるようにする。【解決手段】 第1の材料25で形成された結晶構造を含みかつある幅および長さの結晶学的ファセット26および該結晶学的ファセット26上に行を成して配置されかつ第2の材料で形成された量子ドット30を有する稀薄キャリア装置である。前記量子ドット30の行は前記結晶学的ファセット26の長さ方向に沿って延在しかつほぼ1量子ドット幅および複数の量子ドットの長さを有する。前記量子ドット30の行は稀薄または単一電子装置に基づく回路のための基礎単位を形成する。
Claim (excerpt):
稀薄キャリア装置であって、第1の材料(25)で形成されかつある幅および長さを有する結晶学的ファセット(26)を有する結晶構造、そして第2の材料で形成されかつ前記結晶学的ファセット(26)上に行を成して配置された量子ドット(30)であって、前記行は前記結晶学的ファセット(26)の長さに沿って延在しかつほぼ1量子ドット(30)幅および複数の量子ドット(30)の長さを有するもの、を具備することを特徴とする稀薄キャリア装置。
IPC (3):
H01L 29/06 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205
FI (3):
H01L 29/06 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205

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