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J-GLOBAL ID：200903028609262912

半導体基板の研磨方法

Inventor： クリス・チャン・ユー
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994101749
Publication number (International publication number)：1994333893
Application date： Apr. 18, 1994
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、基板13全体の研磨の均一性を改善する研磨パッド81,101,71,121、およびこの研磨パッド81,101,71,121を使用する方法を含む。【構成】 研磨パッドは、研磨パッドの端部近くに位置する第1領域83,104,74,123、および研磨パッドの端部から遠くに位置する第2領域82,102,72,122を有する。第2領域82,102,72,122は、複数の開口部を有するか、第1領域83,104,74,123と比較して平均細孔サイズが大きい。第2領域82,102,72,122の各開口部または平均細孔サイズは、範囲1)約250から1000ミクロンの間か、または範囲2)第1領域83,104,74,123の平均細孔サイズより約25から1000パーセント大きい、のいずれかの範囲をとることができる。研磨パッド81,101,71,121は、ポリッシャ、または連続往復運動レンジ以外のポリッシャの動作パラメータに重大な変更を加える必要なしに、化学・機械研磨で使用できる。

Claim (excerpt)：

中心点を有する半導体基板(13)および主表面の寸法を有する主表面を研磨する方法であって、前記方法は:ポリッシャ(10)の中に前記基板(13)を置く段階;および、研磨パッド(81,101,71,121)を用いて前記基板(13)を研磨し、前記研磨パッド(81,101,71,121)は:端部;第1平均細孔サイズを有する複数の細孔を含む第1領域(83,104,74,123)であって、前記第1領域は前記端部に隣接して位置する第1領域;および、第2平均細孔サイズを有する複数の細孔を含む第2領域(82,102,72,122)であって、前記第2領域(82,102,72,122)は前記第1領域に隣接し、また前記第1領域(83,104,74,123)と比較して前記端部から遠くに位置する第2領域;を含み、また前記研磨パッド(81,101,71,121)は:複数の開口部(84,75)を有する前記第2領域(82,102,72)であって、前記複数の開口部(84,75)の各開口部は:約250から1000ミクロンの幅を有するか;または前記第1領域の前記平均細孔サイズよりも約25から1000パーセント大きい範囲にある幅を有する第2領域;または、前記第1平均細孔サイズよりも大きな前記第2平均細孔サイズ;によって構成されることを特徴とする研磨方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00