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J-GLOBAL ID：200903028612239425

高強度薄膜電解質

Inventor： 川角 昌弥 ,  神谷 厚志 ,  谷口 拓未 ,  森本 友 ,  佐藤 紀夫
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 上野 登 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998162316
Publication number (International publication number)：1999354140
Application date： Jun. 10, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高強度と低膜抵抗を同時に満足するプロトン伝導性の高強度薄膜電解質を提供すること。また、プロトン伝導性の高強度薄膜電解質を安価な手法で実現する方法を提供すること。【解決手段】 プロトン伝導性を有する電解質膜、特に、強酸基もしくはその前駆体を有するイオン交換容量(前駆体の場合は官能基量)5ミリ当量/g〜0.2ミリ当量/gのフッ素樹脂からなる電解質膜を、ガラス転移温度近傍から融点以下の温度で2軸延伸処理することにより、膜厚50μm以下、膜強度8N以上、膜抵抗0.07Ωcm2以下のプロトン伝導性の高強度薄膜電解質を得る。

Claim (excerpt)：

膜厚50μm以下、膜強度8N以上、膜抵抗0.07Ωcm2以下であるプロトン伝導性の高強度薄膜電解質。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭64-022932
  
• イオン交換膜の加工方法、イオン交換膜およびそれを用いた燃料電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-057686   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭60-135435
  
• 特開昭60-149631
  
• 特開昭58-154731