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J-GLOBAL ID：200903028617062515

半導体ウエハの裏面加工方法

Inventor： 藤井 靖久 ,  片岡 真 ,  平井 健太郎
Applicant, Patent owner： 三井化学株式会社
Agent (1)： 苗村 新一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000261980
Publication number (International publication number)：2002075942
Application date： Aug. 31, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ウエハの破損を防止に有用な、半導体ウエハを100μm以下に薄層化する半導体ウエハの裏面加工方法を提供する。【解決手段】 回路が形成された半導体ウエハの表面を半導体ウエハ保護用粘着フィルムの粘着剤面に固定し、それらをリング状のフレームにマウントする工程、及び、半導体ウエハをフレームにマウントした状態で裏面加工する工程を含む半導体ウエハの裏面加工方法であって、半導体ウエハ保護用粘着フィルムとして、少なくとも一層が融点が200°C以上の樹脂から形成された基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された粘着フィルムを用い、且つ、半導体ウエハの厚みを100μm以下に裏面加工することを特徴とする半導体ウエハの裏面加工方法。

Claim (excerpt)：

回路が形成された半導体ウエハの表面を半導体ウエハ保護用粘着フィルムの粘着剤面に固定し、それらをリング状のフレームにマウントする工程、及び、半導体ウエハをフレームにマウントした状態で裏面加工する工程を含む半導体ウエハの裏面加工方法であって、半導体ウエハ保護用粘着フィルムとして、少なくとも一層が融点が200°C以上の樹脂から形成された基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された粘着フィルムを用い、且つ、半導体ウエハの厚みを100μm以下に裏面加工することを特徴とする半導体ウエハの裏面加工方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04

FI (4)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/304 622 J ,  B24B 37/04 J

F-Term (6)：

3C058AA07 ,  3C058AB04 ,  3C058AB08 ,  3C058CB02 ,  3C058CB04 ,  3C058DA18