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J-GLOBAL ID：200903028631339732

窒化物薄膜の成長方法

Inventor： ジョージ・アルゴス・ジュニア ,  ディヴィシュ・エヌ・パテル
Applicant, Patent owner： ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993323801
Publication number (International publication number)：1994236853
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【目的】 水素含有量が低い窒化珪素薄膜や酸窒化珪素薄膜を提供する。【構成】 窒化珪素及びオキシ窒化珪素薄膜を蒸着する方法は、平行平板型CVD装置内で、TEOS(テトラエトキシシラン)を窒素と反応させる。13.56MHzの周波数を有する高周波電力信号を上部極板に印加し、100乃至400KHzの範囲の周波数を有する低周波電力信号を下部極板に印加する。形成される薄膜の窒化度は、上下の極板に印加される電力量を調整することにより、変更可能である。

Claim (excerpt)：

上側プレート及び下側プレートを有する平行平板型CVD装置において窒化物薄膜を成長させるに当り、前記上側プレートと下側プレートとの間にウエハを位置決めし、前記上側プレート及び下側プレートのうち少なくとも一方に電力を印加し、更に、前記上側プレート及び下側プレート間でテトラエトキシシラン(Si(OC2H5 )4 )を窒素(N2 )と反応させて、所定の窒素及び酸素含有量を有する窒化物薄膜を形成することを含むことを特徴とする窒化物薄膜の成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318